Thyristor Discretes(SCRs)

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Discrete Thyristors(SCRs)

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SEMPO

包装：散装 类别：电路保护 保险丝座 描述：FUSE TRON BOX COVER UNIT

Eaton - Bussmann Electrical Division

N沟道500 V、0.018 Ohm典型值、110 A MDmesh II功率MOSFET，Max247封装

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most • Max247 worldwide best RDS(on) \n• 100% avalanche tested \n• Low input capacitance and gate charge \n• Low gate input resistance;

ST

意法半导体