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STY100NM60N中文资料N沟道600 V、0.025 Ohm典型值、98 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，Max247封装数据手册ST规格书
STY100NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STY100NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：Max247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.029
- Drain Current (Dc)_max(A)
：98
- PTOT_max(W)
：625
- Qg_typ(nC)
：330
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
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Max247-3 |
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