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STY100NM60N

Low input capacitance and gate charge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

  • 型号:

    STY100NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STY100NM60N供应商 更新时间2025-7-26 11:31:00