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STX13004-AP	文件：356.91 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：356.91 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX13004-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 2A TO92AP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX13004G	文件：356.91 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：356.91 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX13004G-AP	文件：356.91 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：356.91 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TE13004D	文件：94.19 Kbytes Page：9 Pages	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor Features ● Monolithic integrated C-E-free-wheel diode ● HIGH SPEED technology ● Planar passivation ● Very short switching times ● Very low switching losses ● Very low dynamic saturation ● Very low operating temperature ● High reverse voltage Applications Electronic lamp ballast circui 文件：94.19 Kbytes 页数：9 Pages	TEMIC	TEMIC

产品属性

产品编号：
STX13004-AP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92AP
描述：
TRANS NPN 400V 2A TO92AP

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