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STY80NM60N

N-channel 600 V - 0.035 廓 - 80 A - Max247 second generation MDmesh??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

  • 型号:

    STY80NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多STY80NM60N供应商 更新时间2025-5-28 16:10:00