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STY80NM60N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STY80NM60N
厂商型号

STY80NM60N

功能描述

N-channel 600 V - 0.035 廓 - 80 A - Max247 second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

130.81 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 11:13:00

产品属性

  • 型号:

    STY80NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
TO-247
1500
原装现货假一赔十
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ST
23+
TO-247
8000
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23+
TO-247
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全新原装正品现货,支持订货
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