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STU666S

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:674.87 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STU668S

N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:895.46 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU670S

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.2349 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STU6N62K3

N-channel 620 V, 0.95 廓 typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages

文件:1.05244 Mbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU6N65K3

丝印:6N65K3;Package:IPAK;N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

文件:906.85 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU6N65M2

Extremely low gate charge

文件:737.76 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU6N90K5

Zener-protected

文件:704.36 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU6N95K5

N-channel 950 V, 1 廓 typ., 9 A Zener-protected SuperMESH??5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK

文件:1.22735 Mbytes 页数:23 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STU6NF10

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:952.96 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STU6NF10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.86796 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • VRRM(V):

    700

  • IFSM:

    8

  • VF(V):

    1.5

  • VF_IF(A):

    1

  • IR(uA):

    0.2

  • IR_VR(V):

    650

  • Trr(ns):

    60

  • Tj:

    -55℃-150℃

  • Package Outline:

    SOT-23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STU供应商 更新时间2026-1-17 11:03:00