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STS6P3LLH6中文资料P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，SO-8封装数据手册ST规格书
STS6P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS6P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.05
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.03
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-6
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
SOP-8 |
504970 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOP8 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
SOIC-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
SOP-8 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
新年份 |
SOP-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 |
