STS6NF20V中文资料N沟道20 V、30 mOhm典型值、6 A、2.7 V驱动STripFET II功率MOSFET，SO-8封装数据手册ST规格书
STS6NF20V规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics' unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.
特性 Features
• Ultra low threshold gate drive
• 100% avalanche tested
• Low gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STS6NF20V
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：20
- RDS(on)_max(@ VCC=2.7V)(Ω)
：0.045
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.04
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.045
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：2.5
- Qg_typ(nC)
：8.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST专家 |
24+ |
SO08.15JEDEC |
90000 |
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ST/意法 |
23+ |
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ST |
23+ |
SOP8 |
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ST |
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诚信交易大量库存现货 |
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ST |
23+ |
SOP-8 |
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原厂原装 |
询价 | ||
ST专家 |
23+24 |
SO |
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原装正品,原盘原标,优势库存 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SO-8 |
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ST(意法半导体) |
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SOP-8 |
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ST/意法半导体 |
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SOIC-8 |
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ST/意法半导体 |
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SOIC-8 |
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