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STS65R580DS2中文资料超结MOS功率管数据手册Silan规格书

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厂商型号

STS65R580DS2

功能描述

超结MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:03:00

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STS65R580DS2规格书详情

描述 Description

STS65R580D(F)(S)S2  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,STS65R580D(F)(S)S2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。



特性 Features

• 8A,650V, RDS(on)(typ.)=0.52W@VGS=10V 
• 创新高压技术
• 低栅极电荷
• 定期额定雪崩
• 较强dv/dt能力
• 高电流峰值

技术参数

  • 制造商编号

    :STS65R580DS2

  • 生产厂家

    :Silan

  • Polarity

    :N

  • Vdss (V)

    :650

  • Id (A)Tc=25℃

    :8

  • Vgs (th) (V)

    :2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ)

    :520

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ)

    :580

  • Qg@10Vtyp (nC)

    :12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
21+
TSMT6
39521
原装现货假一赔十
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SILAN/士兰微
22+
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100000
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