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STS5DP3LLH6	文件：711.13 Kbytes Page：14 Pages	Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology withanewtrenchgatestructure.The	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STS5DP3LLH6

文件：711.13 Kbytes

Page：14 Pages

Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology withanewtrenchgatestructure.The

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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更多STS5DP3LLH6供应商更新时间2024-6-24 14:00:00

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