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STS5DP3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STS5DP3LLH6

功能描述

Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

丝印标识

5KK3L

封装外壳

SO-8

文件大小

711.13 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 18:52:00

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STS5DP3LLH6规格书详情

特性 Features

 Very low on-resistance

 Very low gate charge

 High avalanche ruggedness

 Low gate drive power loss

Applications

 Switching applications

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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