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特性 Features
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Applications
Switching applications
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
SO-8 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ST/意法 |
2511 |
SO-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
09+ |
SOP8 |
28569 |
全新原带现货 |
询价 | ||
ST |
2447 |
SOP8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
ORIGINAL |
22800 |
原装现货 优势出货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-SO |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 |
