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STR2P3LLH6数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STR2P3LLH6

功能描述

P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、2 A STripFET H6功率MOSFET,SOT-23封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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STR2P3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STR2P3LLH6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-23

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :-30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.09

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.056

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :-2

  • PTOT_max(W)

    :0.35

  • Qg_typ(nC)

    :6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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