STR2550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

This device is a high voltage fast-switching PNP power transistor, manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds.

It employs a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds, while maintaining a wide RBSOA.

特性 Features

• Excellent hFElinearity up to 50 mA
• Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
• Tape and reel packaging
• The NPN complementary type is STR1550

简介

STR2550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的STR2550晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。