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STR1550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

STR1550

参数属性

STR1550 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 500V 0.5A SOT23

功能描述

高压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 500V 0.5A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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STR1550规格书详情

描述 Description

This device is a high voltage fast-switching NPN power transistor, manufactured using diffused collector planar technology for high switching speeds.

It employs a base island structure with planar edge termination to enhance switching speeds, while maintaining a wide RBSOA.

特性 Features

• Excellent hFElinearity up to 50 mA
• Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits
• Tape and reel packaging
• The PNP complementary type is STR2550

简介

STR1550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的STR1550晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STR1550

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :500

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :500

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :500

  • Collector Current_max(A)

    :0.5

  • Collector Current_abs_max(A)

    :0.5

  • Dc Current Gain_min

    :100

  • Dc Current Gain_max

    :300

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.05

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :10

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :0.05

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :0.01

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