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STR2N2VH5数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STR2N2VH5

功能描述

N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、2.3 A STripFET H5功率MOSFET,SOT-23封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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STR2N2VH5规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.

特性 Features

• Low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STR2N2VH5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-23

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :20

  • RDS(on)_max(@ VCC=2.7V)(Ω)

    :0.055

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.035

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • PTOT_max(W)

    :2.4

  • Qg_typ(nC)

    :6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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