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Automotive 650V, 20A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode The STPSC20H065CWLY is an ultra-high-performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing • AEC-Q101 qualified \n• PPAP capable \n• No or negligible reverse recovery \n• Switching behavior independent of temperature \n• Dedicated to PFC applications \n• High forward surge capability \n• ECOPACK2 compliant component; | ST 意法半导体 | ST | ||
汽车用650 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 在应用电流范围内无反向恢复 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 专为PFC应用设计 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 符合AEC-Q101标准 \n• ECOPACK®2 兼容组件 \n• 具有PPAP功能(符合生产件批准程序); | ST 意法半导体 | ST | ||
Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO220AB | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO247 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
技术参数
- Number of Diodes_spec:
2
- Marketing Status:
Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):
650
- Average Rectified Current_max(A):
20
- VF_max(V):
1.75
- VF measure condition_spec(@ IF)(A):
10
- Reverse Current_max(mA):
0.1
- Total capacitive charge(nC):
28.5
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):
100
- Junction Temperature_max(°C):
175
- General Description:
650 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
22+ |
TO-263 |
6000 |
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ST |
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TO-220ABTO-247 |
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TO-263 |
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ST/意法 |
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