Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode

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1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-247 LL封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容;

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1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode

This 10 A, 1200 V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and • No or negligible reverse recovery \n• Switching behavior independent of temperature \n• Robust high voltage periphery \n• Operating Tj from -40 °C to 175 °C \n• Low VF \n• D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. \n• ECOPACK2 compliant;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

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Package：TO-220-2；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC

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