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STPSC10H12-Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车用1200 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-220AC和D²PAK封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 具有PPAP功能（符合生产件批准程序） \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容;	ST 意法半导体	ST
STPSC10H12-Y	文件：534.05 Kbytes Page：10 Pages	Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：534.05 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
10H12D	文件：76.93 Kbytes Page：3 Pages	MONOLITHIC CRYSTAL FILTERS 文件：76.93 Kbytes 页数：3 Pages	RALTRON	RALTRON
STPSC10H12	文件：438.56 Kbytes Page：8 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：438.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12C	文件：432.06 Kbytes Page：10 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：432.06 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
1200
Average Rectified Current_max(A)：
10
VF_max(V)：
1.5
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
10
Reverse Current_max(mA)：
0.06
Total capacitive charge(nC)：
57
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
71
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
Automotive 1200 V

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更多STPSC10H12-Y供应商更新时间2025-11-19 15:10:00

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