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STPSC10H12	文件：438.56 Kbytes Page：8 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：438.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12CWL	文件：432.06 Kbytes Page：10 Pages	丝印：STPSC10H12CWL；Package：TO-247LL；1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：432.06 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12DY	文件：534.05 Kbytes Page：10 Pages	丝印：STPSC10H12DY；Package：TO-220AC；Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：534.05 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12GY-TR	文件：534.05 Kbytes Page：10 Pages	丝印：STPSC10H12GY；Package：D2PAK；Automotive grade 1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：534.05 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-220AC, DPAK HV, D²PAK 和 DO-247 LL封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 工作温度从-40 °C 到 175 °C \n• 低VF（正向压降） \n• ECOPACK®2 兼容;	ST 意法半导体	ST
STPSC10H12B2-TR	文件：224.69 Kbytes Page：11 Pages	丝印：PSC10H12；Package：DPAKHV；1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode 文件：224.69 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12C	文件：432.06 Kbytes Page：10 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：432.06 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12D	文件：438.56 Kbytes Page：8 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：438.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12G2-TR	文件：375.61 Kbytes Page：11 Pages	丝印：SC10H12G2；Package：D2PAKHV；1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode 文件：375.61 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC10H12G2Y-TR	文件：378.92 Kbytes Page：11 Pages	丝印：SC10H12G2Y；Package：D2PAKHV；Automotive 1200 V, 10 A, silicon carbide power Schottky diode 文件：378.92 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
1200
Average Rectified Current_max(A)：
10
VF_max(V)：
1.5
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
10
Reverse Current_max(mA)：
0.06
Total capacitive charge(nC)：
57
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
71
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
1200 V

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更多STPSC10H12供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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