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STPSC10H12C

1200 V power Schottky silicon carbide diode

文件:432.06 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPSC10H12CWL

丝印:STPSC10H12CWL;Package:TO-247LL;1200 V power Schottky silicon carbide diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPSC10H12C

1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

该款碳化硅(SiC)二极管可采用TO-247 LL封装,是一款超高性能的功率肖特基二极管,并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF(正向压降)肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC和二次侧应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复,或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 工作结温,范围从-40 °C 到 175 °C \n• ECOPACK®2 兼容;

ST

意法半导体

STPSC10H12CWL

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Number of Diodes_spec:

    2

  • Marketing Status:

    Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V):

    1200

  • Average Rectified Current_max(A):

    10

  • VF_max(V):

    1.5

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A):

    5

  • Reverse Current_max(mA):

    0.03

  • Total capacitive charge(nC):

    57

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A):

    210

  • Junction Temperature_max(°C):

    175

  • General Description:

    1200 V

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更多STPSC10H12C供应商 更新时间2025-12-19 16:25:00