N-channel 650 V, 39 mΩ typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

Features • Worldwide best FOM RDS(on)*Qg among silicon-based devices • Higher VDSS rating • Higher dv/dt capability • Excellent switching performance • Easy to drive • 100 avalanche tested Description This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 t

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。 • 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg \n• 更高的VDSS额定值 \n• 更高的dv/dt性能 \n• 出色的开关性能 \n• 易于驱动 \n• 经过100％雪崩测试;

ST

意法半导体

O-22O

ST

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TO-220

ST/意法

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TO-220

ST/意法

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