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STP5NB90	文件：44.89 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL 900V - 2.3 ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5NB90	文件：371.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP5NB90FP	文件：44.89 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL 900V - 2.3 ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5NB90FP	文件：318.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
5NB90	文件：44.89 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL900V-2.3ohm-5A-TO-220/TO-220FPPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW5NB90	文件：85.31 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL900V-2.3ohm-5.6A-TO-247PowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP5NB90
功能描述：
MOSFET N-CH 900V 5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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