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STP55NE06L	文件：371.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP55NE06L	文件：57.07 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less 文件：57.07 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP55NE06LFP	文件：319.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP55NE06LFP	文件：57.07 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET DESCRIPTION This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less 文件：57.07 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP55NE06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STP55NE06L
功能描述：
MOSFET TO-220 N-CH 60V 55A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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