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STP180N4F6	文件：680.85 Kbytes Page：13 Pages	Marking：180N4F6；Package：TO-220；N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Powertools Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™F6technology withanewtrenchgat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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Marking：180N4F6；Package：TO-220；N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Powertools Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™F6technology withanewtrenchgat

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Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

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产品属性

产品编号：
STP180N4F6
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
STripFET™ F6
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
功率耗散（最大值）：
190W（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

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