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STP180N4F6分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STP180N4F6 |
| 参数属性 | STP180N4F6 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 |
| 功能描述 | N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
680.85 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-18 23:01:00 |
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STP180N4F6规格书详情
STP180N4F6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STP180N4F6晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Applications
Switching applications
Power tools
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ F6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
产品属性
更多- 产品编号：
STP180N4F6
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
STripFET™ F6
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
- 功率耗散（最大值）：
190W（Tc）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 描述：
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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