STP180N4F6中文资料N沟道40 V、3.8 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

简介

STP180N4F6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STP180N4F6晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。