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STP13NM50N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.32Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:371.71 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP13NM50N

N-channel 500V - 0.250廓 - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:622.4 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP13NM50N

N-channel 500 V - 0.250 廓 - 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220 - TO-247 - TO-220FP - I2PAK - D2PAK

文件:573 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP13NM50N

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

ST

意法半导体

详细参数

  • 型号:

    STP13NM50N

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 8A Pwr MESH IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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更多STP13NM50N供应商 更新时间2026-2-2 22:59:00