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STP110N8F7中文资料N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package数据手册ST规格书
STP110N8F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STP110N8F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0075
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：170
- Qg_typ(nC)
：46.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
47500 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST/意法 |
2517+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220-3 |
7600 |
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ST |
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TO220-3 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-220-3 |
6000 |
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询价 |
