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STP110N7F6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STP110N7F6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：68
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0065
- Drain Current (Dc)_max(A)
：110
- PTOT_max(W)
：176
- Qg_typ(nC)
：100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
880000 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
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STM |
21+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装公司现货
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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