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FMH23N60E	文件：585.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
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FMR23N60E	文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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G23N60UF	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH23N60Q	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTQ23N60Q	文件：538.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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SGF23N60UF	文件：543.34 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF23N60UFD	文件：607.18 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF23N60UFDTU	文件：363.83 Kbytes Page：1 Pages	TO-3PFTubePackingData	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF23N60UFTU	文件：277.97 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH23N60UF	文件：246.89 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES HighSpeedSwitching LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.95V(@Ic=12A) HighInputImpedance APPLICATIONS AC&DCMotorcontrols GeneralPurposeInverters Robotics,ServoControls PowerSupply LampBallast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH23N60UFD	文件：627.61 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFDseriesprovideslowconductionandswitchinglosses. UFDseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •Low	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多STL23N60ND供应商更新时间2024-6-15 10:36:00

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