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STL160N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits a very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low switching gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL160N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.002
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0013
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- PTOT_max(W)
：4.8
- Qg_typ(nC)
：61.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
1822+ |
QFN12 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
QFN8 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN5X6 |
3288 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
24+ |
QFN8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
