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STI200N6F3	文件：285.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) -RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STI200N6F3	文件：858.28 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 60 V, 3 m廓, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET??Power MOSFET 文件：858.28 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STI2006	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual / Bipolar Transistors	Semi Tech 海晨启半导体	Semi Tech
STI200N6F3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 3 mΩ, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK STripFET™ Power MOSFET	ST 意法半导体	ST

详细参数

型号：
STI200
功能描述：
MOSFET N-channel 60 V 120 A TO-22
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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