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STH160N4LF6-2中文资料N沟道40 V、2.7 mOhm典型值、160 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH160N4LF6-2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Logic level drive
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STH160N4LF6-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0046
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0032
- Drain Current (Dc)_max(A)
：160
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：180
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
2980 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
15+ |
H2PAK-2 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
1428+ |
H2PAK |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
3300 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+24 |
TO-263 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 |
