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STGW45HF60WDI中文资料45 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGW45HF60WDI |
| 参数属性 | STGW45HF60WDI 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 70A 250W TO247 |
| 功能描述 | 45 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 19:20:00 |
| 人工找货 | STGW45HF60WDI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW45HF60WDI规格书详情
描述 Description
The STGW45HF60WDI is based on a new advanced planar technology concept to yield an IGBT with more stable switching performance (Eoff)versus temperature, as well as lower conduction losses. The device is tailored to high switching frequency operation (over 100 kHz).
特性 Features
Improved E
offat elevated temperature
Low VF soft recovery antiparallel diode
简介
STGW45HF60WDI属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW45HF60WDI晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGW45HF60WDI
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，30A
- 开关能量：
330µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/145ns
- 测试条件：
400V，30A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 长引线
- 描述：
IGBT 600V 70A 250W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2019 |
TO-247 |
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ST/意法 |
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