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STGPL6NC60D中文资料6A, 600 V hyper fast IGBT with very fast diode数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STGPL6NC60D |
| 参数属性 | STGPL6NC60D 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 56W TO220 |
| 功能描述 | 6A, 600 V hyper fast IGBT with very fast diode |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | STGPL6NC60D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGPL6NC60D规格书详情
描述 Description
This series of hyper fast IGBT is based on PowerMESH technology and exhibits very low turn-off energy, thanks to a new lifetime control system. This results in an optimized trade-off between on-state voltage and switching losses, allowing very high operating frequencies.
特性 Features
• Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
简介
STGPL6NC60D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGPL6NC60D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGPL6NC60D
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，3A
- 开关能量：
46.5µJ（开），23.5µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
6.7ns/46ns
- 测试条件：
390V，3A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 14A 56W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
43 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-220 |
28502 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-220-3 |
970 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 |
