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STGB15H60DF中文资料600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT数据手册ST规格书
STGB15H60DF规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High speed switching
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB15H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：115
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：15
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：15
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：1.6
- VF_typ(V)
：1.8
- Qg_typ(nC)
：81
- Eon_typ(mJ)
：0.14
- Eoff_typ(mJ)
：0.21
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
TO-263 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-263 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
10000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
百分百原装现货有单来谈 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
