首页>STG25H120F2D7>规格书详情
STG25H120F2D7数据手册ST中文资料规格书
STG25H120F2D7规格书详情
描述 Description
This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
特性 Features
• 5 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
• Tight parameter distribution
• Low switching-off losses
• Safer paralleling
技术参数
- 制造商编号
：STG25H120F2D7
- 生产厂家
：ST
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：1200
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：25
- VCE(sat)_typ(V)
：2.1
- Qg_typ(nC)
：100
- Eoff_typ(mJ)
：0.7
- Die size(mm2)
：27.54
- tSC
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEC |
24+ |
NA/ |
57 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
24+ |
BGA |
2140 |
全新原装!现货特价供应 |
询价 | ||
SEMTECH |
24+ |
SC70-6L |
37500 |
原装正品现货,价格有优势! |
询价 | ||
ST |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
SGS-THOMSON |
1999 |
BGA |
40 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
ST |
22+ |
6DFN (1.45x1.0) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
SAMSUNG |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
18+ |
ICSWITCHSPDT6DFN |
6800 |
公司原装现货 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
意法半导体 |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
询价 |
