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STFW8N120K5数据手册ST中文资料规格书
STFW8N120K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STFW8N120K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-3PF
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6
- PTOT_max(W)
：48
- Qg_typ(nC)
：13.7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
22+ |
NA |
1200 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Norsat |
24+ |
模块 |
400 |
询价 | |||
ICPR |
22+ |
DIP |
6000 |
只做原装,假一发十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO247F |
8000 |
原装正品!假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-3PF |
16500 |
只做原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
PLCC |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 |
