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STFU18N60M2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
STFU18N60M2 |
参数属性 | STFU18N60M2 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP |
功能描述 | N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
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STFU18N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STFU18N60M2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STFU18N60M2晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:STFU18N60M2
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220FP ultra narrow leads
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.28
- Drain Current (Dc)_max(A)
:13
- PTOT_max(W)
:25
- Qg_typ(nC)
:21.5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
915 |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO220F |
7350 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220F |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220FP-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220FP-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
12820 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
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询价 |