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STG20M65F2D7数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STG20M65F2D7

功能描述

650 V、20 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,D7封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:58:00

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STG20M65F2D7规格书详情

描述 Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特性 Features

• 6 µs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

技术参数

  • 制造商编号

    :STG20M65F2D7

  • 生产厂家

    :ST

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :20

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.55

  • Qg_typ(nC)

    :63

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.56

  • Die size(mm2)

    :11.95

  • tSC

    :Yes

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