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F8NK100Z	文件：293.19 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL1000V-1.60OHM-6.5A-TO-220-TO-220FPZener-ProtectedSuperMESHTMMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP8NK100Z	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

更多STF8NK100ZIC供应商更新时间2024-2-28 14:38:00