STF7N60M2中文资料N沟道600 V、0.86 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF7N60M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on)x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF7N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.95
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：20
- Qg_typ(nC)
：8.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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