STF6N95K5中文资料N沟道950 V、1 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF6N95K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) on * area
• Industry’s best figure of merit (FoM)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF6N95K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：950
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.25
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9
- PTOT_max(W)
：25
- Qg_typ(nC)
：13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
20+ |
TO-220F |
12000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-220F |
32000 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST |
24+/25+ |
TO-220F塑封 |
36000 |
100%原装正品真实库存,支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
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STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
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原装正品 支持实单 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220FP |
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ST/意法 |
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TO-220FP |
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NA |
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