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STF7LN80K5中文资料N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF7LN80K5规格书详情
描述 Description
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best figure of merit (FoM)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF7LN80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.15
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：25
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS |
21+ |
标准封装 |
100 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220FPAB-3 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
33000 |
原装现货支持送检 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2447 |
TO-220FP |
105000 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220-3 整包 |
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STMICROELECTRONICS |
100 |
询价 | |||||
STMICROELECTRONICS |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 |
