STF6N60M2中文资料N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装数据手册ST规格书
STF6N60M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss)profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF6N60M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.5
- PTOT_max(W)
：20
- Qg_typ(nC)
：8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220FP-3 |
16900 |
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询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220FP-3 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220FP-3 |
6000 |
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ST/意法 |
2450+ |
TO-220FP-3 |
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24+ |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
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ST(意法半导体) |
2447 |
TO-220F(TO-220IS) |
105000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO220F |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
12700 |
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询价 |
