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STDLED625	文件：1.43359 Mbytes Page：18 Pages	Gate charge minimized 文件：1.43359 Mbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STDLED625	文件：300 bytes Page：1 Pages	Gate charge minimized	ST 意法半导体	ST
STDLED625H	文件：1.29311 Mbytes Page：17 Pages	Gate charge minimized 文件：1.29311 Mbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STFILED625	文件：1.21534 Mbytes Page：15 Pages	N-channel 620 V, 1.28 廓 typ., 5.0 A Power MOSFET in I2PAKFP and TO-220 packages 文件：1.21534 Mbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STFILED625H	文件：1.2383 Mbytes Page：17 Pages	N-channel 650 V, 1.7 Ω typ., 4.5 A Power MOSFET in I2PAKFP, TO-220 and IPAK packages Features • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt capability • Gate charge minimized • Very low intrinsic capacitance • Improved diode reverse recovery characteristics • Zener-protected Applications • LED lighting applications Description These Power MOSFETs boast extremely low 文件：1.2383 Mbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPLED625	文件：1.21534 Mbytes Page：15 Pages	N-channel 620 V, 1.28 廓 typ., 5.0 A Power MOSFET in I2PAKFP and TO-220 packages 文件：1.21534 Mbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

更多STDLED625供应商更新时间2026-1-20 10:50:00