丝印：9N80K5；Package：DPAK；N-channel 800 V, 0.73 Ω typ., 7 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a DPAK package

Features • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best figure of merit (FoM) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

Ultra-low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) -RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Ultra-low gate charge

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意法半导体