STD9N80K5中文资料N沟道800 V、0.73 Ohm典型值、7 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD9N80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数（FoM）
• 极低的栅极电荷
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD9N80K5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
16900 |
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询价 |
