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STD96N3LLH6中文资料N沟道30 V、0.0037 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD96N3LLH6规格书详情
描述 Description
This product is an N-channel Power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STD96N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.007
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0042
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：20
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